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新能源研究院磁電子與納磁探測設備招標公告 招標文件下載

信息發(fā)布日期：2012.03.01 標簽：湖北省招標

招標編號：	招標[2012]07號
加入日期：	2012.03.01
截止日期：	2012.03.27
招標業(yè)主：	三峽大學實驗室與資產(chǎn)管理處
地區(qū)：	湖北省
內(nèi) 容：	新能源研究院磁電子與納磁探測設備

招標公告正文

招標[2012]07號--《新能源研究院磁電子與納磁探測設備》招標公告
三峽大學因工作需要招標采購一批物資設備及其服務，現(xiàn)發(fā)布招標公告如下。
本項目招標文件通過校園網(wǎng)同時對外公布。
誠邀有意向并符合招標要求的廠商投標。
一、招標編號：招標[2012]07號。
二、項目名稱：三峽大學《新能源研究院磁電子與納磁探測設備》。
三、項目資金：三峽大學專項經(jīng)費(審批編號[2012]Z05#)。
四、招標文件：請到校認購，或網(wǎng)上下載并投標前辦妥手續(xù)，均可投標。
五、招標內(nèi)容：詳見《招標文件》附件三。
六、投標截止：2012年3月27日8:30時(所有投標必須開標前遞交有效)。
七、開標日期：擬定投標截止日9:30時在本校行政樓開標。
八、中標結(jié)果：現(xiàn)場宣布并通過本網(wǎng)址發(fā)布中標公告。
九、歡迎通過三峽大學校園網(wǎng)查看或下載招標文件。
招標單位：三峽大學(湖北省宜昌市大學路8號；郵編：443002）
招標人：三峽大學實驗室與資產(chǎn)管理處(本校行政樓三樓314/308室)
聯(lián)系方式***

附：招標貨物清單及主要要求(共2頁)

序	貨物名稱	招標技術(shù)性能及要求	數(shù)量	單價	金額	參考廠商或說明
標段一
1	多功能振動樣品磁強儀系統(tǒng)	詳見附件1	1套			進口設備
標段二
2	超高真空多功能磁控濺射鍍膜系統(tǒng)	詳見附件2	1套			進口或國產(chǎn)

說明：標段一、標段二如為進口設備請按美元報價(免稅)，并按開標當日匯率折合人民幣付款。

附、多功能振動樣品磁強儀系統(tǒng)：

序號	技術(shù)參數(shù)、性能及配置	投標技術(shù)性能	響應或偏離說明
1.主機技術(shù)指標：
1.1	具備多種全自動測量功能：有VSM磁測量、電學測量等多種選件可供選擇。有兩種變溫選件可供選擇，變溫范圍：77K-400K，和300K-1000K 。
1.2	至少可提供77K—室溫溫區(qū)、最高3特斯拉磁場的材料磁性和電學性質(zhì)研究環(huán)境。
1.3	非液氦制冷系統(tǒng)，低噪聲，低運行成本。
1.4	功率要求：190-240V,50/60Hz,20A，功率：最大3 KVA 。
1.5	樣品腔不小于：20mm 。
1.6	磁場控制：整個溫度范圍里均可達到±3 Tesla 。
1.7	軟件具備先進的遠程控制和診斷技術(shù)，可遠程對儀器進行操作和問題處理。
2.VSM測量參數(shù)：
2.1	VSM振蕩頻率：5至80 Hz之間
2.2	VSM振幅：可達到峰值2 mm
2.3	數(shù)據(jù)采集和平均時間：1 sec
2.4	靈敏度：1秒平均時間< 10-6 emu or 0.5 %
2.5	噪音基：0.5%/√Hz
2.6	精度：1mm振幅下優(yōu)于 1% or 6 x 10-6 emu
3.電學測量參數(shù):
3.1	可全自動測量交直流電阻率、Hall系數(shù)、I-V曲線、微分電阻等參數(shù)。
3.2	多重抗噪聲測量設計，有效降低噪聲。
3.3	噪聲基：1 nV/rtHz 電壓輸出范圍：± 4.5 V (一倍增益時) 電流范圍：10nA-100mA 持續(xù)操作頻率范圍：直流或交流（0.1Hz-200Hz）電阻測量精度：0.1% (R < 200 kΩ) 0.2% (R > 200 kΩ) 相對靈敏度：± 10 nΩ RMS (typical) 電阻測量范圍：四線法10-8Ω-106Ω 二線法106Ω-5X109Ω

附件2、超高真空多功能磁控濺射鍍膜系統(tǒng)：

序號	技術(shù)參數(shù)、性能及配置	投標技術(shù)性能	響應或偏離說明
1.系統(tǒng)的主要組成及技術(shù)指標
1.1	系統(tǒng)主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成；
1.2	濺射室極限真空度：≤3x10-6 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)；系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣，濺射室60分鐘可達到2x10-4 Pa；
1.3	真空室選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸和電解拋光鈍化處理工藝。
2.磁控濺射靶組件
2.1	磁控濺射靶組件：5套；
2.2	靶材尺寸：Φ60mm（其中三個可以濺射鐵磁性材料）；
2.3	每個靶射頻濺射與直流濺射兼容，靶內(nèi)有水冷；
2.4	電動控制擋板組件：1套；
2.5	靶配有屏蔽罩，以避免靶材之間的交叉污染；
2.6	靶與樣品距離可調(diào)，并有調(diào)位距離指示；
3.基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺組件
3.1	基片尺寸：可放置φ30mm或以上的基片；同時可以安放6片；
3.2	六個基片工位中，其中一個工位安裝加熱爐，其余工位為水冷基片臺；
3.3	其中一個工位可以沉積楔形膜；
3.4	基片加熱最高溫度 600℃±1℃ ，由熱電偶閉環(huán)反饋控制；
3.5	基片轉(zhuǎn)盤能0～360°回轉(zhuǎn)；基片轉(zhuǎn)盤由電機驅(qū)動，可計算機控制公轉(zhuǎn)工位及鍍膜過程；
3.6	基片可以加負偏壓-200V；
3.7	電動控制基片擋板組件：1套；
4.工作氣路
4.1	兩路進氣分別由100SCCM、5SCCM質(zhì)量流量控制器控制。該件要求為進口產(chǎn)品。
5.抽氣機組
5.1	磁懸浮復合分子泵及變頻控制電源：1臺，抽速：680L/s 以上。該件要求為進口產(chǎn)品。
5.2	直聯(lián)機械泵：1臺，抽速9升/秒；
5.3	機械泵與真空室之間有旁抽管路。
6.真空測量及電控系統(tǒng)
6.1	電源機柜：2臺（含供電電源，有斷電保護功能）；
6.2	控制電源：1臺（為機械泵、電磁閥、升降電機等提供電源）；
6.3	水流報警系統(tǒng)：1套（對分子泵、磁控靶有斷水報警切斷相應電源功能）；
6.4	樣品加熱控溫電源：1套（控溫表可實現(xiàn)程序控溫，精度±0.5°C）；
6.5	寬量程數(shù)顯真空計：1套；測量范圍：1.0x105Pa～1.0x10-8Pa。
6.6	600W全自動調(diào)諧射頻電源：1套。射頻電源頻率：13.56MHZ±0.005%，最小輸出功率：6W，反射功率限制：200w，脈沖重復頻率：1 to 30 kHz。該件要求為進口產(chǎn)品。
6.7	500W全自動直流電源：2套；
6.8	-200V直流偏壓電源：1套；
6.9	電機控制電源：2套；
6.10	靶擋板電源：1套；
6.11	加熱烘烤及照明電源：1套；
7.計算機控制系統(tǒng)
7.1	由計算機(配聯(lián)想電腦)、硬件卡、軟件組成；
7.2	控制的內(nèi)容主要有靶擋板、樣品公轉(zhuǎn)、樣品擋板、樣品控溫等。
8.其它部件
8.1	循環(huán)水機（與磁控濺射系統(tǒng)配套），1臺，12升/分鐘，水溫小于 25℃。
8.2	高純氣瓶，3個，用于高純99.999%的氬氣、氫氣和氧氣。

此業(yè)主發(fā)布的其它公告

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