加入日期: | 2012.11.13 |
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截止日期: | 2012.11.20 |
招標(biāo)業(yè)主: | 鹽城師范學(xué)院 |
地 區(qū): | 鹽城市 |
內(nèi) 容: | 儀器名稱 規(guī)格型號 技術(shù)參數(shù) 數(shù)量 單價(jià) 高速多用途半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng) 1、電學(xué)指標(biāo) A-K 極間加壓范圍: ±2.500mV--2000V A-K 極間測流范圍: ±1nA--49.90A A-K 極間加流范圍: ±100nA--49.90A A-K 極間測壓范圍: ±2.500mV--2000V G-K 極間加壓范圍: ±2.500mV--20V G-K 極間測流范圍: ±1nA--10A G-K 極間加流范圍: ±100nA--10A G-K 極間測壓范圍: ±2.500mV--20V 最大電壓分辨率: 1mV 最大電流分辨率: 1nA A-K 極間加/測壓精度: 1%+10mV A-K 極間加/測流精度: 1%+10nA+20pA/V G-K 極間加/測壓精度: 1%+5mV G-K 極間加/測流精度: 1%+10nA+20pA/V 電參數(shù)測試重復(fù)性: 1% 2、可測試器件(DUT)種類共計(jì)19大類, 27分類分立器件。 1 二極管 DIODE 2 穩(wěn)壓(齊納)二極管 ZENER 3 晶體管 TRANSISTOR(NPN/PNP) 4 單向可控硅(普通晶閘管) SCR 5 雙向可控硅(雙向晶閘管) TRIAC 6 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOSFET(N-CH/P-CH) 7 結(jié)型場效應(yīng)管 J-FET(N-CH/P-CH) 8 絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(N-CH/P-CH) 9 達(dá)林頓陣列器件 DARLINGTON 10* 光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN/PNP) 11* 光電邏輯器件 OPTO-LOGIC 12* 光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH |
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儀器名稱
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規(guī)格型號
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技術(shù)參數(shù)
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數(shù)量
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單價(jià)
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高速多用途半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)
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1、電學(xué)指標(biāo)
A-K 極間加壓范圍: ±2.500mV--2000V
A-K 極間測流范圍: ±1nA--49.90A
A-K 極間加流范圍: ±100nA--49.90A
A-K 極間測壓范圍: ±2.500mV--2000V
G-K 極間加壓范圍: ±2.500mV--20V
G-K 極間測流范圍: ±1nA--10A
G-K 極間加流范圍: ±100nA--10A
G-K 極間測壓范圍: ±2.500mV--20V
最大電壓分辨率: 1mV
最大電流分辨率: 1nA
A-K 極間加/測壓精度: 1%+10mV
A-K 極間加/測流精度: 1%+10nA+20pA/V
G-K 極間加/測壓精度: 1%+5mV
G-K 極間加/測流精度: 1%+10nA+20pA/V
電參數(shù)測試重復(fù)性: 1%
2、可測試器件(DUT)種類共計(jì)19大類, 27分類分立器件。
1 二極管 DIODE
2 穩(wěn)壓(齊納)二極管 ZENER
3 晶體管 TRANSISTOR(NPN/PNP)
4 單向可控硅(普通晶閘管) SCR
5 雙向可控硅(雙向晶閘管) TRIAC
6 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOSFET(N-CH/P-CH)
7 結(jié)型場效應(yīng)管 J-FET(N-CH/P-CH)
8 絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(N-CH/P-CH)
9 達(dá)林頓陣列器件 DARLINGTON
10* 光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN/PNP)
11* 光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12* 光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH
13* 固態(tài)過壓保護(hù)器 SSOVP
14* 硅觸發(fā)開關(guān) STS,SBS
15* 繼電器 RELAY(A,B,C型)
16* 金屬氧化物壓變電阻 MOV
17* 壓變電阻 VARISTOR
18* 雙向觸發(fā)二極管 DIAC
19* 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR
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1臺
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